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SK集团公布2025年人事调整计划与海力士开发出闪存产品等新闻

发布时间： 2025-06-09   点击次数： 26次   来源：sk大厦办公楼招商中心   作者：王春伟

一、SK集团人事调整：SK集团公布2025年人事调整计划，晋升2名社长及75名主管，重点提拔理工科及对美关系人才，并扩编AI组织以增强未来竞争力。如SKSupex战略支持组长孙贤浩出任SKDiscoveryCEO；SK海力士NAND快闪存储器解决方案委员会负责人安炫晋升为社长；SKOn电池生产方面，2025年由SKSiltron制造研发本部长皮承浩担任制造负责人；SKInnovation聘请美国能源部研究机构前成员金必锡博士担任技术长。此外，SK集团扩大AI/DT工作小组，新设AI推进团和DT推进团，由SKTelecomCEO柳英相和SKC&CCEO尹豊荣分别负责。

以下是具体情况：

晋升人员

总裁级别：将N-S委员会负责人安贤以及SKSupexPursuitCouncil战略支持组组长孙贤浩提拔为总裁。其中，孙贤浩将担任SKDiscovery首席执行官兼总裁，利用其管理战略设计和财务专业知识，领导SKDiscovery加强竞争力；安贤在SK海力士晋升为总裁并担任首席开发官，负责巩固在高带宽内存（HBM）市场的领导地位，强化DRAM/NAND技术竞争力。

高管级别：共任命了75名新高管，其中三分之二专门从事业务、研发和生产等领域和技术领域。SK海力士提拔了33名新高管，约70%的新高管任命集中在下一代半导体开发等技术领域。

组织架构调整

SK海力士业务部门划分：划分为五个部门，分别是AI基础设施（CMO，首席营销官）、研发中心（CTO，首席技术官）、开发（CDO，首席开发官）、量产（CPO，首席生产官）和企业中心。通过这种划分，明确各部门的责任与权限，提升公司的快速决策能力，以更灵活地应对市场和技术的变化。

AI与DT推广团队设立：以SKTelecom首席执行官YooYoung-sang为首的AITF将扩大为AI推广团队，并且在现有的DTTF之外单独设立一个由SKC&C首席执行官YoonPoong-young领导的DT推广团队。SK将在SK电讯的领导下建立人工智能研发中心，以巩固整个集团的人工智能能力，并加强SK海力士等子公司之间的协同作用。SK公司还设立了首席执行官直属的“AI创新部门”组织，以发现成长性业务。

其他人事变动

SKOn：继前SK海力士首席执行官LeeSeok-hee之后，SKOn任命SKSiltron制造/开发部门负责人PiSeung-ho为制造负责人。

SK各子公司首席执行官留任：SK海力士总裁Noh-jeongkwak、SKTelecom总裁Young-sangyoo、SKInnovation总裁Sang-gyupark、SKInnovationE&S总裁Hyung-wookchoo以及SKC总裁Won-cheolpark均留任，以稳定组织。

总体而言，SK集团2025年人事调整计划围绕“技术、领域、全球”展开，通过加强技术人才培养、优化组织架构和提升AI能力，以应对不确定的商业环境，巩固其在全球市场的竞争力。

二、SK海力士开发出高321层1TbTLC4DNAND闪存产品：2025年5月22日，SK海力士宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存的移动端解决方案产品。以下是详细介绍：

技术特点

高堆叠层数：采用“3-Plug”工艺技术，分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。开发出低变形材料，引进通孔间自动排列矫正技术，克服了堆叠局限，实现了321层的垂直堆叠，相比上一代238层NAND闪存，层数增加了35%，大幅提高了存储密度。

TLC架构：每个存储单元可存储3位二进制数据（共8个电荷状态），在同等面积下的数据容量更大，但对制造工艺和数据纠错能力提出了更高要求。

4DNAND技术：在传统三维（3D）NAND的堆叠基础上，进一步将存储单元垂直堆叠至321层，并在存储阵列旁边集成外围控制电路，以提升整体存储密度和访问速度。

性能提升

数据传输与读写速度：支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。相比上一代基于238层4DNAND的产品，随机读取速度提升了15%，随机写入速度提升了40%，达到现存UFS4.1产品中全球领先水平，能够显著改善应用启动、界面切换及后台任务并发执行的流畅度。与上一代相比，数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%。

能效优化：较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%，在高强度读写场景中更能明显降低整机能耗，有助于延长移动设备续航时间。数据读取能效也比上一代提高10%以上。

产品厚度：产品厚度从1mm减薄至0.85mm，减薄了15%，使其更易集成于超薄机身设计中，适用于超薄旗舰智能手机等对空间要求苛刻的设备。

产品规格与应用

容量规格：提供512GB和1TB两种容量规格，满足从中端到旗舰机型的不同需求。

应用领域：专为端侧AI进行优化，能够实时提供对端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，有效增强用户的实际性能体验，可应用于智能手机、智能家电、传感器等设备，为实现更复杂和智能的AI功能提供强大的存储支持。

开发与量产计划

SK海力士于2025年5月22日宣布成功开发出搭载该闪存的移动端解决方案产品UFS4.1，计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。此外，公司还计划在今年内完成基于全球最高321层4DNAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品的开发工作，以进一步扩大该技术在不同领域的应用。

三、SK集团在越南减持资产：2025年5月27日消息，丽珠医药发布公告，其境外全资附属公司拟以约15.87亿元收购越南上市公司ImexpharmCorporation64.81%的股份。SKInvestment预计从此次交易中获得超4.21万亿越南盾（1.622亿美元）融资。此外，SK集团此前已计划出售越南最大企业集团Vingroup约5086万股股票，交易完成后持股比例将降至4.72%，不再具备大股东地位，并预计产生约5081亿越南盾（2003万美元）收入。

具体情况如下：

交易概述：2025年5月22日，丽珠医药集团股份有限公司境外全资附属公司LIANSGPHOLDINGPTE.LTD.与SKInvestmentVinaIIIPte.Ltd.（SK）、SunriseKimInvestmentJointStockCompany（Sunrise）及KBAInvestmentJointStockCompany（KBA）签署了《框架协议》。LIANSGP拟收购卖方合计持有的越南上市公司IMP64.81%股份，拟支付的股权购买价格为5.73万亿越南盾（按协议签署当日汇率中间价换算约为人民币15.87亿元），占丽珠集团最近一期经审计归属于公司股东净资产的11.45%。

交易对方情况

SKInvestmentVinaIIIPte.Ltd.：是私人有限责任公司，注册地址在新加坡滨海湾金融中心第一大厦西塔12楼07/12单元，法定代表人为姜东洙，注册资本2.4856亿美元，主营业务为管理咨询服务，主要股东为SKSouthEastAsiaInvestmentPte.Ltd.（持股100%）。

SunriseKimInvestmentJointStockCompany：是股份公司，注册地址在越南河内市，法定代表人为陈秋柳，注册资本7.052万亿越南盾，主营业务为投资控股，与SK是关联公司。

KBAInvestmentJointStockCompany：是股份公司，注册地址在越南胡志明市，法定代表人为梅文兴，注册资本3.741万亿越南盾，主营业务为投资控股，与SK是关联公司。

交易标的资产基本情况

标的公司概况：IMP是在越南胡志明市证券交易所上市的股份有限公司，主要从事药品的研发、生产和销售，产品主要包括抗生素、心脑血管药物等。公司设立于1977年，注册地在越南同塔省高兰市。

标的公司股权结构：截至公告披露日，SK持股47.69%，VietnamPharmaceuticalCorporation持股22.04%，Sunrise持股9.75%，KBA持股7.37%，其他股东持股13.15%。

标的公司财务状况：2024年资产总额6.93亿元，净资产6.04亿元，实现营收6.96亿元，净利润8883.02万元。

SK集团在越南的资产减持早有迹象，此前已计划出售越南最大企业集团Vingroup约5086万股股票，交易完成后持股比例将降至4.72%，不再具备大股东地位，并预计产生约5081亿越南盾（2003万美元）收入。此外，SK集团自2022年起就考虑出售在越南和马来西亚的部分资产，以应对经济形势变化。本次丽珠医药收购IMP部分股权，SKInvestment预计从此次交易中获得超4.21万亿越南盾（1.622亿美元）融资。

四、SK集团会长拜访台积电，强化AI芯片合作：6月7日，韩国SK集团发布新闻稿表示，SK集团会长崔泰源与旗下存储芯片大厂SK海力士总裁郭鲁于6月6日访问台积电，与台积电新任董事长魏哲家进行了会面，双方同意加强在人工智能（AI）芯片方面的合作，包括第六代高带宽內存（HBM）HBM4芯片。具体情况如下：

合作背景

市场需求推动：随着人工智能技术的不断发展，对高性能AI芯片的需求日益增长。高带宽内存（HBM）芯片作为能够大幅提升数据处理速度和系统性能的关键组件，市场前景广阔。例如，英伟达执行长黄仁勋喊出下一代平台“Rubin”预期在2026年进入量产，将搭载HBM4。

双方优势互补：SK海力士是全球知名的存储芯片大厂，在HBM芯片的设计与开发方面具有深厚的技术积累和丰富的经验。台积电则是全球最大的半导体代工厂，拥有先进的晶圆代工和封装技术，能够为芯片生产提供高质量的制造服务。

前期合作基础

SK海力士与台积电合作多年，2022年台积电在北美技术论坛宣布成立OIP3DFabric联盟，SK海力士加入该联盟，双方一直紧密合作支持CoWoS制程的相容性与HBM的互连性。2024年4月，SK海力士为加强HBM4的开发和先进封装技术力量，与台积电签订了技术合作谅解备忘录（MOU）。

本次合作内容

共同开发HBM4芯片：双方将合作开发第六代高带宽内存芯片HBM4，预计于2026年起量产。SK海力士负责HBM4芯片的设计与开发，台积电承担晶圆代工任务，以确保产品的高性能和质量。

优化技术结合：将SK海力士的HBM和台积电的CoWoS®技术优化结合，并共同应对HBM相关客户的要求，以提升系统级产品的性能和竞争力。

合作意义

对SK集团：有助于SK海力士在HBM芯片市场的竞争中占据更有利地位，提高其在全球AI芯片产业链中的影响力，进一步推动SK集团在半导体领域的发展，提升其在AI时代的竞争力。

对台积电：加强与SK海力士的合作，能够进一步巩固其在半导体代工领域的领先地位，拓展在AI芯片市场的业务，满足市场对高性能AI芯片的代工需求，同时也有助于台积电与SK集团建立更紧密的战略合作伙伴关系。

对全球AI芯片产业：SK集团与台积电的合作将整合双方的优势资源，加速AI芯片技术的发展和创新，推动HBM4芯片的量产和应用，为全球人工智能产业的发展提供更强大的芯片支持，促进AI技术在更多领域的普及和应用。